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HN300电缆故障测试仪 路灯(地埋)电缆综合测试仪 HN300系列 高压无线核相器生产厂家
用于35kV及以下不同等级、不同截面、不同介质及材质的电力电缆的各类故障,包括:开路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻闪络性故障。可配合高压设备实现传统电缆故障测试的低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法。 全中文操作软件和使用界面,子菜单方式和文字提示实现人机互动。工业级10.4寸彩色触摸液晶屏显示,全中文操作软件和使用界面,子菜单方式和文字提示实现人机互动。波形记录仪的主流分辨率为12比特,而ZLG致远电子ZDL6000示波记录仪分辨率为14比特,在同样的条件下,可以读到的刻度值为0.0012V。分辨率越高,采集精度越大,更容易测量信号的值、有效值等数据,还可以根据这些数值进行高精度的运算(如:瞬时功率,能量积分等)。通道数量数字示波器一般都是4通道的,而波形记录仪根据机型不同,支持通道数一般在8通道以上。通道越多,可同时观察的信号也就越多,可比较性就越好。

技术参数
1. 采样方法:低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法
2. 采样速率:200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz
3. 脉冲宽度:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs
4. 波速设置:交联、聚氯、油浸纸、不滴油和未知类型自设定
5. 冲击高压:35kV及以下
6. 测试距离:<60km,盲区≤1m
7. 分 辨 率:1m
8. 测试精度:1m
9. 显示方式:工业级10.4寸彩色触摸液晶屏
接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。正向导通压降与导通电流的关系在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。
四、工作原理
本产品采用的是时域反射(TDR)原理,即对电缆发射一电脉冲,电脉冲将在电缆中匀速传输,当遇到电缆阻抗发生变化的地方(故障点),电脉冲将产生反射。测距主机将电脉冲的发射和反射的变化以时域形式通过液晶屏显示出来,通过屏幕上的波形可直接判读故障距离。
① 开关按键:按下自锁接通电源,再按解锁断开电源。开机2分钟无任何操作时,屏幕将变暗进入屏保节能状态。既然瞬时阻抗像电阻,那我们就给负载并联一个电阻,让其阻值和特性阻抗相等,这样信号就不会反射回来,而是被电阻吸收。您的电路也就清净了。这种方法叫做终端匹配。的50Ω特性阻抗大小会影响信号传输功率、传输损耗、串扰等电气性能,而其板材和几何结构又影响制造成本,这种情况只能找一个折中值。而50Ω正是同轴线的传输功率、传输损耗以及制造成本的一个平衡点。所以大多数高速信号都会采用50Ω特性阻抗系统,形成标准并沿用至今,成为使用广泛的一种阻抗标准。
② 充电端口:用于连接充电器,给电池充电。
③ 中值旋钮:顺时针旋动中值向上走动;逆时针旋动中值向下走动。(需采样刷新才有变化)大;逆时针旋动幅度减小。(需采样刷新才有变化)
⑤ 采样端口:四芯座,用于连接采样线。也就是说,只要振铃、过冲和地电平不导致逻辑跳变,那么这些模拟特点对MSO就不是问题。与逻辑仪一样,MSO使用门限电压,确定信号是逻辑值高还是逻辑值低。MSO4系列可以为每条通道立设置门限,适合调试带有混合逻辑家族的电路。MSO4在其中一个数字适配夹上测量五个逻辑信号,它同时测量三个TTL(晶体管-晶体管逻辑)信号和两个LVPECL(低压正发射器-耦合逻辑)信号。MSO2和MSO3系列则为每个适配夹设置门限(一组8条通道),因此TTL信号将位于个适配夹上,而LVPECL信号则位于个适配夹上。
⑥ 触摸式彩色液晶屏:详见“工作界面介绍”。
按“ ”键,弹出采样方式选择子菜单。子菜单中包括:“低压脉冲”、“闪络方法”和“速度测量”。仪器开机默认“低压脉冲”,根据测试需要,可选择相应的采样方式,再按“采样方式”键退出。
按“ ”键,弹出脉冲宽度选择子菜单。子菜单中包括7个选项,分别为:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根据测试距离选择合适的脉宽,按对应的子菜单键可以对脉冲宽度进行选择,仪器开机默认0.2μs,再按“脉宽”键退出此项功能。注意:在高压闪络法测试中此项不做选择。
可靠性是对产品耐久力的测量,我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线来表示。集成电路的失效原因大致分为三个阶段:阶段被称为早期失效期,这个阶段产品的失效率快速下降,造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷;阶段被称为偶然失效期,这个阶段产品的失效率保持稳定,失效的原因往往是随机的,比如温度变化等等;阶段被称为损耗失效期,这个阶段产品的失效率会快速升高,失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。