产品名称：冲击耐压试验装置 HNCJ系列 超低频耐压测试仪定制定做

HNCJ系列雷电冲击电压发生装置
冲击耐压试验装置 HNCJ系列 超低频耐压测试仪定制定做产品简介：

冲击电压发生器主要用于电力设备等试品进行雷电冲击电压全波、雷电冲击电压截波和操作冲击电压波的冲击电压试验，检验绝缘性能。冲击电压发生器一种模仿雷电及操作过电压等冲击电压的电源装置。主要用于绝缘冲击耐压及介质冲击击穿、放电等试验中。

适用范围：变压器、电抗器、互感器及其它高压电器、高压晶闸管阀SVC(HVDC)、电力电缆、各类高压绝缘子、套管等试品的标准雷电冲击，雷电截断波，操作冲击及用户要求的非标准冲击波的各类冲击电压试验。一套设备就可产生多种试验波形（标准的和非标准的波形，用户提出来的波形）。 适用领域：质检鉴定计量检测监督机构，电力设备制造厂，铁路通信，航天和航天飞行器,科研单位，大专院校以及气象等部门的防雷和雷电试验。光纤通信是用光纤作为传输介质，以光波作为载波来实现信息传输，从而达到通信目的的一种新通信技术。与传统的电气通信相比，光纤传感技术具有精度和灵敏度高、抗电磁干扰、寿命长、耐腐蚀、成本低、光纤传输损耗极低，传输距离远等突出优点。虽然光纤通信具有以上突出的优点，但本身存在的缺陷也不容忽视，比如：光纤的质地脆，容易断裂、机械强度差，弯曲不能过小;供电困难;分路、耦合不灵活；光纤的切断和连接需要特定的工具或设备等。

产品别称：冲击电压发生器，雷电冲击电压发生器试验装置，雷电冲击电流发生器，电压发生器试验装置

MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷电冲击电压发生装置产品特征

1、回路电感小，并采取带阻滤波措施，在大电容量负载下能产生标准冲击波，负载能力大。

2、电压利用系数高，雷电波和操作波分别不低于85%和80%。

3、调波方便，操作简单，同步性能好，动作可靠。在这里，我们主要讨论模式模式四充电桩内的剩余电流保护器的选用。在GB/T18487.1-2015中要求，交流供电设备的剩余电流保护器宜采用A型或B型，符合GB14084.2-2008，GB16916.1-2014和GB22794-2008的相关要求。如所示为充电模式3控制导引电路原理图，在供电设备内部安装了剩余电流保护器。图1充电模式3控制导引电路原理图什么是A型或者B型剩余电流保护器？我国的剩余电流保护装置（RCD）指导性标准GB/Z6829-2008（IEC/TR60755:2008,MOD）《剩余电流动作保护器的一般要求》从产品的基本结构、剩余电流类型、脱扣方式等方面作了划分。冲击耐压试验装置 HNCJ系列 超低频耐压测试仪定制定做

4、采用恒流充电自动控制技术，自动化程度高，抗干扰能力强。