产品名称：冲击耐压试验装置 HNCJ系列 超低频耐压试验装置生产厂家

HNCJ系列雷电冲击电压发生装置
冲击耐压试验装置 HNCJ系列 超低频耐压试验装置生产厂家产品简介：

冲击电压发生器主要用于电力设备等试品进行雷电冲击电压全波、雷电冲击电压截波和操作冲击电压波的冲击电压试验，检验绝缘性能。冲击电压发生器一种模仿雷电及操作过电压等冲击电压的电源装置。主要用于绝缘冲击耐压及介质冲击击穿、放电等试验中。

适用范围：变压器、电抗器、互感器及其它高压电器、高压晶闸管阀SVC(HVDC)、电力电缆、各类高压绝缘子、套管等试品的标准雷电冲击，雷电截断波，操作冲击及用户要求的非标准冲击波的各类冲击电压试验。一套设备就可产生多种试验波形（标准的和非标准的波形，用户提出来的波形）。 适用领域：质检鉴定计量检测监督机构，电力设备制造厂，铁路通信，航天和航天飞行器,科研单位，大专院校以及气象等部门的防雷和雷电试验。电子元器件的降额等级可以参考《标准——元器件降额准则GJB/Z35-93》，一般可分成三个降额等级：Ⅰ级降额：I级降额是的降额，适用于设备故障将会危及**，导致任务失败和造成严重经济损失的情况。Ⅱ级降额：工作应力减小对元器件可靠性增长有明显效益，适用于设备故障会使工作任务降级，或需支付不合理的维修费用。Ⅲ级降额：Ⅲ级降额是的降额，相对来说元器件成本也较低。适用于设备故障对工作任务的完成只有小的影响，或可迅速、经济地加以修复。

产品别称：冲击电压发生器，雷电冲击电压发生器试验装置，雷电冲击电流发生器，电压发生器试验装置

MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷电冲击电压发生装置产品特征

1、回路电感小，并采取带阻滤波措施，在大电容量负载下能产生标准冲击波，负载能力大。

2、电压利用系数高，雷电波和操作波分别不低于85%和80%。

3、调波方便，操作简单，同步性能好，动作可靠。按照存储芯片MicroSD卡供电要求的范围：2.7V-3.6V；不允许超出此范围，否则，芯片在不稳定的电压下工作会有比较大的风险，甚至会对卡片的正常工作带来影响。需要考虑的是示波器的设置，究竟是否需要进行20MHZ的带宽限制？详细的使用环境如下图所示：如何去测试“高频开关电源”噪声IPAD刚引出来的那个端口可以当做电源的源端，而通过后端的外围模块后在末端进行测试的时候，电源通过了一段PCB走线，包括一些芯片回路，应该存在高频的噪声，如果采用20MHZ的带宽限制，实际上是将原本属于模块的噪声给滤掉了，为此，我们进行了对比测试进行验证：步，我先验证IPAD的供电端在工作时的输出，如下图：通过直接验证IPAD的输出口的电压,保证源端的供电是正常的；通过测试，我们发现在源端测量的电压值在3.4V（500MHZ带宽测量）左右，峰峰值29mV，是非常稳定的供电；可以排除源端供电的问题，接下来，我们直接在通过整个模块后在MicroSD卡的供电脚SDVCC对电行测量，如下图：当我们在图片上的点进行测试的时候，发现在高频开关电源上有相当大的噪声，使得电压超出了规范要求的范围，值达到了3.814V，峰峰值达854mV；但当我们将示波器设置为20MHZ带宽的时候，高频开关电源变的非常好，完全在供电要求的范围内；正如在本文开头描述的，在本次高频开关电源测试过程中，已经不是高频开关电源纹波测量，而应该是噪声。冲击耐压试验装置 HNCJ系列 超低频耐压试验装置生产厂家

4、采用恒流充电自动控制技术，自动化程度高，抗干扰能力强。