产品名称：蓄电池充放电机 HN1016B 直流接地故障检测仪试验方法

HN1015A蓄电池充放电，活化测试仪 蓄电池充放电机 HN1016B 直流接地故障检测仪试验方法

本仪器是针对整组蓄电池系列测试，不同规格型号对整组要求不同，具体根据仪表为准。单体电池电压为2V\12V（根据具体指标定）的铅酸蓄电池组进行测试的仪器。

测试步骤介绍晶闸管又叫可控硅，是一种在晶体管基础上发展起来的大功率半导体器件，主要并广泛应用于整流、逆变、调压及开关等方面，对可控硅性能进行检测，对于电控系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成，即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。

1.4.1在线监测测试：

步：连接单体电压采集器。（详见章节2.4）

步：把整组电压测试线连接到电池组两端。（详见章节2.5）

步：插入电源，主机开机。

第四步：进入在线监测参数设置。(详见章节3.1）

第五步：“确定”开始测试。

1.4.2 放电测试：LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。

步：连接单体电压采集器（详见章节2.4）。纯负载不具此功能

步：放电开关，拨到分的位置(防止放电电缆反接，损坏仪器；反接告警提示)。

步：把放电线一端连到主机，另一端连到电池组两端。（注意红正黑负）。接反会告警提示。（详见章节2.5）

第四步：把整组电压测试线连接到电池组2端。

第五步：插入电源(电池组供电不用接AC220V电源，直接将放电开关拨到合的位置)，主机开机。

第六步：进入放电参数设置。(详见章节3.2）

第七步：将放电开关拨到合的位置（电池组供电省略此步骤）。

第八步：“确定”开始测试。

1.4.3容量快测（选配功能）为避免此问题，运维人员需要对炉内运行状况进行定期检测。传统检测方式只能通过人眼观察以及对炉内进行接触式单点测温，粗略判断炉内运行状况，而红外热像仪可实现全像面、远距离观测。工作时裂解炉内的温度高达1℃，工作人员通过巨哥电子热像仪直观地了解到裂解炉内包括对流管、炉壁的温度状态以及因长期使用后产生的外部结垢、内部堵塞等。此外，在石化生产过程中存在大量的管道及热力设备需要进行保温处理，保温效果的好坏直接关系到产能建设和运营成本。

步：连接单体电压采集器（详见章节2.4）。

步：放电开关，拨到分的位置(防止放电电缆反接，损坏仪器；反接告警提示)。

步：把放电线一端连到主机，另一端连到电池组两端。（注意红正黑负）。接反会告警提示。（详见章节2.5）

第四步：把整组电压测试线连接到电池组2端。

第五步：插入电源，主机开机。

第六步：进入容量快测参数设置。(详见章节3.3）

第七步：将放电开关拨到合的位置。

第八步：“确定”开始测试。同时也具有强大的谐波功能，也支持量测到5次的电压和电流谐波。IT76系列高性能可编程交流电源采用先进数字信号处理技术，频率可达1-5Hz，内置的功率表及大屏幕示波器功能。功率高达54kVA，支持主从并联，可提供大容量的单相或三相交流输出。IT76系列内建任意波型产生器,可模拟谐波及任意波形输出，同时具有强大的交流测量及功能，可广泛应用于新能源、家电产品、电力电子、电子设备、**与IEC标准测试的开发和运用等多个领域。蓄电池充放电机 HN1016B 直流接地故障检测仪试验方法