产品名称：蓄电池充电放电测试仪 HN1016B 直流接地故障检测仪试验方法

HN1015A蓄电池充放电，活化测试仪 蓄电池充电放电测试仪 HN1016B 直流接地故障检测仪试验方法

本仪器是针对整组蓄电池系列测试，不同规格型号对整组要求不同，具体根据仪表为准。单体电池电压为2V\12V（根据具体指标定）的铅酸蓄电池组进行测试的仪器。

测试步骤介绍具有省电、性能稳定、体积小、承载能力大，比一般电磁继电器性能优越的特点。根据继电器的型号不同，可以是交流电压，也可以是直流电压。下面我们主要介绍一款需要直流电压供电的磁保持继电器的测试方法。磁保持继电器内部图1.IT64系列LIST功能IT64系列是四象限电源，具有list功能，可按照程序所编的电压电流值输出。单通道输出功率15W，电压可达±6V，电流±1A，双极性双范围输出。LIST功能实测案例以下是测试要求：磁保持继电器的老化测试，就是重复让产品断开和闭合，进行老化测试。脉冲波形：+4.5V,5msV,5ms-4.5V,5msV,5ms测试磁保持继电器的吸合电压和释放电压。一般采用步进增大或者减小电压值的方法去测试。电压上升阶梯波形：1V为初始值，.1V,1ms进行升压，直至产品动作;再以-1V为初始值，-.1V,1ms进行升压，直至产品动作。

1.4.1在线监测测试：

步：连接单体电压采集器。（详见章节2.4）

步：把整组电压测试线连接到电池组两端。（详见章节2.5）

步：插入电源，主机开机。

第四步：进入在线监测参数设置。(详见章节3.1）

第五步：“确定”开始测试。

1.4.2 放电测试：每年都有新发布，大家都在追逐更高的性能，除了主CPU频率高以外，还需要关注GPU，同时RAM也要越大越好，存储芯片对速度的影响，大家又知道多少呢？普及，诺基亚无可替代20世纪90年代，风靡世界是诺基亚，他推出的1100,1110，3210等型号，占领了当时80%市场。诺基亚里面集成了Intel的NorFlash芯片，他的快读取速度仅为5MB/S，这个速度，应付当年的游戏“贪吃蛇”的应用是足够了。

步：连接单体电压采集器（详见章节2.4）。纯负载不具此功能

步：放电开关，拨到分的位置(防止放电电缆反接，损坏仪器；反接告警提示)。

步：把放电线一端连到主机，另一端连到电池组两端。（注意红正黑负）。接反会告警提示。（详见章节2.5）

第四步：把整组电压测试线连接到电池组2端。

第五步：插入电源(电池组供电不用接AC220V电源，直接将放电开关拨到合的位置)，主机开机。

第六步：进入放电参数设置。(详见章节3.2）

第七步：将放电开关拨到合的位置（电池组供电省略此步骤）。

第八步：“确定”开始测试。

1.4.3容量快测（选配功能）环境试验一般只对小部分产品进行，常见的环境试验内容和方法如下：温度试验用以检查温度环境对仪器仪表的影响，确定仪器仪表在高温和低温条件下工作和储存的适应性，它包括高温和低温负荷试验、高温和低温储存试验。高温试验用以检查高温环境对仪器仪表的影响，确定仪器仪表在高温条件下工作和储存的适应性。它包括高温负荷试验和高温储存试验。低温试验用以检查低温环境对仪器仪表的影响，确定仪器仪表在高温条件下工作和储存的适应性。

步：连接单体电压采集器（详见章节2.4）。

步：放电开关，拨到分的位置(防止放电电缆反接，损坏仪器；反接告警提示)。

步：把放电线一端连到主机，另一端连到电池组两端。（注意红正黑负）。接反会告警提示。（详见章节2.5）

第四步：把整组电压测试线连接到电池组2端。

第五步：插入电源，主机开机。

第六步：进入容量快测参数设置。(详见章节3.3）

第七步：将放电开关拨到合的位置。

第八步：“确定”开始测试。半导体生产流程由晶圆制造，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成，晶圆制造和芯片封装讨论较多，而测试环节的相关知识经常被边缘化，下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容，主要集中在WAT，CP和FT三个环节。集成电路设计、制造、封装流程示意图WAT（WaferAcceptanceTest）测试，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），对Wafer划片槽（ScribeLine）测试键（TestKey）的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定，CMOS的电容，电阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据，测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT测试机台上，由WATRecipe自动控制测试位置和内容，测完某条TestKey后，ProbeCard会自动移到下一条TestKey，直到整片Wafer测试完成。蓄电池充电放电测试仪 HN1016B 直流接地故障检测仪试验方法