产品名称：互感器综合测试仪 电流互感器现场测试仪 全自动互感器试验台

ES3数字式接地电阻仪（多功能型）可使用3线法测量接地电阻，并且量程为全自动换档，具有USB接口，可以与电脑相连，接地电阻量程可测量到.1Ω～3Ω，电压可以测量到～1V，抗磁场能力强，小巧等特点。以下为ES3数字式接地电阻仪（多功能型）测量变压器的接地电阻现场应用。接地电阻精密测量法要测量的变压器接地电阻精密测量接地电阻采用三线连接，辅助接地棒、测试线都连接好后，切换功能测量电阻R模式，按键按“TEST”键开始测量，测量中LED指示灯闪烁，LCD倒计数显示，测量完成后指示灯灭，LCD显示测量值。
HN10A互感器特性综合测试仪互感器综合测试仪 电流互感器现场测试仪 全自动互感器试验台

功能简介：

测试互感器：PT、CT（保护类、计量类）、伏安特性（励磁特性）曲线、自动给出点值、自动给出5%和10%的误差曲线、变比测量、比差测量、相位（角差）测量、极性判断、一次通流测试、交流耐压测试、二次负荷测试、二次绕组测试、铁心退磁等设计的多功能现场试验仪器。

技术参数：

1、工作电源：AC220V±10% 、50Hz

2、设备输出：0～2500Vrms， 5Arms（20A峰值）

3、大电流输出：0～1000A

4、二次绕组电阻测量范围：0.1～50Ω

5、二次绕组电阻测量准度：≤0.5%、分辨力0.01

6、二次实际负荷测量范围：5～300VA

7、二次实际负荷测量准度：≤0.5%±0.1VA工程师了解燃烧设备是否正常运行非常重要，比如清楚地知道烟气中氧气和碳氧化物的含量，烟气温度过高或者过低，进/出水管温度，燃气压力等等诸多工况，这就需要检测并用检测值来。这就不得不使用到供热检测需求的烟气仪器，而烟气仪的正确使用就显得非常关键。气路由于所有的气体浓度值计算基础均与采样流量的稳定性有关联，如果气路有堵塞则会引起计算误差。检查方法一：查看气泵流速是否在额定值的合理偏差范围；气路如果漏气，则进入传感器的气体为空气和废气的混合物，测量值会偏低或者接近空气中的浓度值。

软件使用说明 

11.1 将配套光盘放入计算机光驱中，解压“软件”至C盘根目录。

11.2，安装“wic_x86_chs.exe”文件，其次，安装“dotNetFx40_Full_x86_x64.exe”软件，默认安装地址即可。

11.3安装完毕后，打开“伏安特性”文件夹，选择打开“VATeXing.exe”操作软件，如图38即为上位机操作软件。

11.4在“VATeXing.exe”操作软件中，下方选择互感器种类“CT”或“PT”，应用语言“中文”或“英文”。

11.5如需生成报告格式文件，必须载入试验结果数据，具体操作方法如下：

a）、将存储试验数据的U盘连接至计算机。

b）、在图38中选择打开“选择文件”，出现图39操作窗口，在图39中可根据需要载入所需文件。

c）、试验结果数据说明：以“A”为开头的数据为励磁特性结果数据，以“B”为开头的数据为变比极性结果数据，以“C”为开头的数据为负荷结果数据，以“D”为开头的数据为直阻结果数据。以“E”为开头的数据为角差比差结果数据，以“T”为开头的数据为暂态结果数据。

11.6 载入数据结束后，选择“确定”出现图40界面，在此界面右上方设置相应参数后，选择“生成误差曲线”则完成所有试验结果的载入。

11.7 载入完成后，可根据需要选择“保存”或打印结果数据。

11.8  选择“保存”选项，则以WORD的形式显示结果如图41。

11.9  如需继续加载试验结果数据，请先上次载入的数据。

HN12A变频式互感器综合仪（CT/PT仪）

功能简介：

1 励磁特性试验

2 变比试验

3 相位和极性试验

4 CT一次电流及负荷时的比差、角差测量

5 CT二次绕组电阻测量

6 CT二次回路负荷测量

7 CT暂态特性测试与

8 CT升流试验

9 测量校核型号的CT、PT，包括保护CT、计量CT、TP级暂态CT、励磁饱和电压达到40KV的CT、变压器套管CT、各电压级PT等.

10 点电压/电流、10%(5%)误差曲线、准确限值系数、仪表保安系数、二次时间常数、剩磁系数、准确级、饱和和不饱和电感等CT、PT参数的测量.

自动给出点电压/电流、 10％误差曲线、 5％误差曲线、准确限值系数（ALF）、 仪表保安系数（FS）、 二次时间常数(Ts)、剩磁系数(Kr)、准确级、饱和和不饱和电感等参数。

技术参数：

输出电压：0~180V (RMS)
■ 输出电流：0~12A，峰值36A
■ 电压测量：准确度 ±0.1%
■ CT变比测量范围：1~30000
■ PT变比测量范围：1~30000互感器综合测试仪 电流互感器现场测试仪 全自动互感器试验台LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。