产品名称：互感器伏安特性测试仪 电流互感器分析仪 磁性能测量仪

据故宫博物院院长单霁翔介绍，、希腊同为拥有悠久历史的文明古国，在收藏与研究保护领域多有共通之处。希腊电子结构与研究所在光学领域享誉欧洲，一直致力于将技术应用于文化遗产的研究与保护工作中。特别是他们近与雅典卫城博物馆合作的“大理石表面污染物”项目，获得了修护协会颁发的凯克奖，已经成为世界范围内石质清洗的代表案例。高科技设备可釉烧温度随着时代发展，科学技术在保护过程中应用日益广泛，为害的诊断、的预防性保护和修复提供了重要的支撑。
HN10A互感器特性综合测试仪互感器伏安特性测试仪 电流互感器仪 磁性能测量仪

功能简介：

测试互感器：PT、CT（保护类、计量类）、伏安特性（励磁特性）曲线、自动给出点值、自动给出5%和10%的误差曲线、变比测量、比差测量、相位（角差）测量、极性判断、一次通流测试、交流耐压测试、二次负荷测试、二次绕组测试、铁心退磁等设计的多功能现场试验仪器。

技术参数：

1、工作电源：AC220V±10% 、50Hz

2、设备输出：0～2500Vrms， 5Arms（20A峰值）

3、大电流输出：0～1000A

4、二次绕组电阻测量范围：0.1～50Ω

5、二次绕组电阻测量准度：≤0.5%、分辨力0.01

6、二次实际负荷测量范围：5～300VA

7、二次实际负荷测量准度：≤0.5%±0.1VA一直以来，汽车的测试都离不开CAN，而CAN的应用也离不开汽车行业。在新能源汽车越发成熟的今天，CAN的一致性测试也成为各整车厂和零部件厂商关注的焦点。这里对CAN一致性测试中的负载率测试做一些简单的介绍。负载率测试是CAN协议一致性测试里的必测项目，不同的测试人员对其的理解也有些差异。大多的测试主要分为两项，一项为测试CAN总线的负载率，另一项则是总线负载压力测试，我们对两项常见的负载情况测试做一下测试方法的解析。

软件使用说明 

11.1 将配套光盘放入计算机光驱中，解压“软件”至C盘根目录。

11.2，安装“wic_x86_chs.exe”文件，其次，安装“dotNetFx40_Full_x86_x64.exe”软件，默认安装地址即可。

11.3安装完毕后，打开“伏安特性”文件夹，选择打开“VATeXing.exe”操作软件，如图38即为上位机操作软件。

11.4在“VATeXing.exe”操作软件中，下方选择互感器种类“CT”或“PT”，应用语言“中文”或“英文”。

11.5如需生成报告格式文件，必须载入试验结果数据，具体操作方法如下：

a）、将存储试验数据的U盘连接至计算机。

b）、在图38中选择打开“选择文件”，出现图39操作窗口，在图39中可根据需要载入所需文件。

c）、试验结果数据说明：以“A”为开头的数据为励磁特性结果数据，以“B”为开头的数据为变比极性结果数据，以“C”为开头的数据为负荷结果数据，以“D”为开头的数据为直阻结果数据。以“E”为开头的数据为角差比差结果数据，以“T”为开头的数据为暂态结果数据。

11.6 载入数据结束后，选择“确定”出现图40界面，在此界面右上方设置相应参数后，选择“生成误差曲线”则完成所有试验结果的载入。

11.7 载入完成后，可根据需要选择“保存”或打印结果数据。

11.8  选择“保存”选项，则以WORD的形式显示结果如图41。

11.9  如需继续加载试验结果数据，请先上次载入的数据。

HN12A变频式互感器综合仪（CT/PT仪）

功能简介：

1 励磁特性试验

2 变比试验

3 相位和极性试验

4 CT一次电流及负荷时的比差、角差测量

5 CT二次绕组电阻测量

6 CT二次回路负荷测量

7 CT暂态特性测试与

8 CT升流试验

9 测量校核型号的CT、PT，包括保护CT、计量CT、TP级暂态CT、励磁饱和电压达到40KV的CT、变压器套管CT、各电压级PT等.

10 点电压/电流、10%(5%)误差曲线、准确限值系数、仪表保安系数、二次时间常数、剩磁系数、准确级、饱和和不饱和电感等CT、PT参数的测量.

自动给出点电压/电流、 10％误差曲线、 5％误差曲线、准确限值系数（ALF）、 仪表保安系数（FS）、 二次时间常数(Ts)、剩磁系数(Kr)、准确级、饱和和不饱和电感等参数。

技术参数：

输出电压：0~180V (RMS)
■ 输出电流：0~12A，峰值36A
■ 电压测量：准确度 ±0.1%
■ CT变比测量范围：1~30000
■ PT变比测量范围：1~30000互感器伏安特性测试仪 电流互感器仪 磁性能测量仪无论是实验室环境还是生产车间，都需要采用更的半导体测试方法。半导体测试是NI的战略重点。我们正在扩展我们的软件平台和PXI功能，以帮助芯片制造商应对他们面临的挑战，这一点通过NI的PXISMU可以完全体现出来。”由于其高吞吐量、高性价比和占地面积小，NI的半导体测试系统(STS)正在快速应用到芯片生产中。全新的PXIe-4163SMU则进一步增强了这些功能，它能提供更高的直流通道密度，使多站点应用具有更高的并行性，以及在生产中提供实验室级别的测量质量。