产品名称：远见 青岛华能HN6000 介质损耗测试仪 手持式变压器变比组别测试仪

征能ES31接地电阻仪（简易型）具有：3线法接地电阻、接地电压测量。手动换档，数据上传功能，报警功能，数据存储5组，接地电阻量程：.Ω～3Ω，接地电压量程：～6V等。此为测量路灯的其中一个实例。准备测量的路灯打开征能ES31接地电阻仪（简易型）仪表箱，准备接线按下图接线，红，黄，绿线，分别相差5米。此为精密三线法测量。打接地棒，将红、黄测试线分别钳在接地棒上将绿色测试线钳在路灯接地引下线上测试线按对应颜色与主机接线接线完成，准备测试将旋转开关旋至3Ω档按红色TEST键开始测试仪表测试1秒中测出接地电阻值为6.4Ω，规定路灯1Ω以下。

HN6200A大型地网接地电阻测试仪

远见 青岛华能HN6000 介质损耗测试仪 手持式变压器变比组别测试仪  本仪器是测量地网接地电阻和接地点之间的接地导通的仪器。仪器采用变频抗干扰技术，不需大电流测量，能在变电站强干扰环境下测得50Hz的准确数据，测量结果由大屏幕液晶显示，自带微型打印机可打印输出。仪器能测量接地阻抗和接地电阻，更能真实反映地网的实际特性。来到健身房，教练让他握住一个小仪器，说是要测量体内脂肪含量。王先生使用的体脂仪类似一个秒表，使用时，只需用手握住，就能测出具体数值。对此，他有些疑惑：“这么一个东西，能准确测出来吗？”记者注意到，市面上出售的体脂仪大部分利用的是阻抗原理测脂肪比例，这种方法的专业术语叫做“BIA”，其原理是脂肪组织因水分含量低而不导电，肌肉等细胞组织因含水量高而导电性能好，由此根据的电阻抗推定脂肪和其他组织的比例。

◆大型地网接地电阻测试仪 产品特点
    1、测量的工频等效性好。测试电流波形为正弦波，频率与工频相差更小0.25Hz，为5Hz。可用于50hz或60hz两种频率进行测量。
    2、测量精度高。基本误差0.005Ω，可用来测量接地阻抗更小的大地网。
   3、功能强大。可测量电流桩，电压桩，地网阻抗、接地电阻，接地导通、土壤电阻率等。
    技术参数
   1、测量范围：0～5000Ω
   2、分 辨 率：0.001mΩ
   3、测量误差：±（读数×2％+0.005Ω）
   4、抗工频50Hz 电压干扰能力：10V
   5、测试电流波形：正弦波
   6、测试电流频率：单频：40-70Hz 分辨率0.01Hz 随意设置
              双频：50±0.25Hz 到 50±5.0Hz 步进0.25Hz
                  60±0.25Hz 到 60±5.0Hz 步进0.25Hz

测试操作步骤

1） 检查用于试验的电流线、电压线和地网线是否有断路现象（可以用万用表测量），地桩上的铁锈是否干净，其埋进深度是否合适（>0.5米），同时检查测试线与地桩的连接是否导通，如未导通，请处理后重新连接。

2） 电流测试线与电压测试线的长度比为1：0.618，电流测试线的长度应是地网对角线的3—5倍。

3） 电流测试线和电压测试线按规定的长度将一端与仪器相接后平行放出。另一端分别接在两支地桩上（如图2所示）。

4） 将已放好的测试线检查一遍，将万用表一端接电流线或电压线，另一端接地网线如无阻值显示即为断路，确认完好再进行测试。

5） 检查连线无误后，给仪器接上AC220V/50HZ电源，对仪器进行通电。

6） 按测量键，开始测量

7） 仪器显示测试结束后，记录测试数据（本仪器可多次重复测量）。

8） 关掉仪器电源后，拆除连线，测试过程结束。然而，燃油和软性粘结剂（弹性体）间的互动是实现测量和长期稳定性的一个瓶颈，在当下使用的燃油、混合剂和添加剂日趋复杂和多样化的大背景下更为凸显。先进压力传感技术确保可靠和测量TDK集团的油箱压力传感器采用特设计：所有和燃油直接接触的塑料和弹性体都使用超耐久的玻璃基材料替代，与所有材料的热膨胀系数都是相互匹配的。和弹性体不同，这种材料不会膨胀、收缩或变脆，可消除因信号漂移或泄露导致的不压力测量。

3．仪器操作说明：

1） 打开电源开关，计算机进行自检，液晶屏显示中文主菜单如图3所示。

1） 按   键可移动光标至各菜单项，并循环指示。被选中项反白字体显示。选择键的流程见图4所示。

2） 在光标当前所示项目，按▼ ▲键键可进行该项菜单的变更，并循环指示，流程见图5所示。

远见 青岛华能HN6000 介质损耗测试仪 手持式变压器变比组别测试仪LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。