产品详情
  • 产品名称:导通电阻测试仪 高压介质损耗测试仪 带通讯

  • 产品型号:HN7010
  • 产品厂商:华能
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简单介绍:
变压器的直流电阻是变压器制造中半成品、成品出厂试验、安装、交接试验及电力部门预防性试验的必测项目,能有效发现变压器线圈的选材、焊接、连接部位松动、缺股、断线等制造缺陷和运行后存在的隐患导通电阻测试仪 高压介质损耗测试仪 带通讯
详情介绍:

电机在无刷电动机中,用磁传感器来作转子磁极位置传感和定子电枢电流换向器,磁传感器中,霍尔器件、威根德器件、磁阻器件等都可以使用,但主要还是以霍尔传感器为主。另外磁传感器还可以对电机进行过载保护及转矩检测;交流变频器用于电机调速,节能效果极好;磁编码器的使用正在逐渐取代光编码器来对电机的转速进行检测和控制,,在电动车窗之中,传感器可以确定轴转动了多少圈,以控制车窗升降器的行程,传感器也可以探测到人手造成的异常负载情况,提供所谓的“防夹”功能,在碰到物体的时候,电机可以反转;用于直流电机换向和探测电流的电动助力转向传感器也是一个快速增长的应用,用于代替电动液压型系统。

HN6300接地引下线导通测试仪导通电阻测试仪 高压介质损耗测试仪 带通讯

导通电阻测试仪  高压介质损耗测试仪 带通讯产品用途
   接地引下线导通测试仪 适用于适用于电力设备接地引下线与接地网(或相邻设备)之间导通电阻值的测量,同样适用于低阻值电阻的测量。HN6300接地引下线导通测试仪根据直流电路的基本计算公式R=U/I和串联电路电流处处相等的原理,采用四线制测量原理,大电流恒流输出有效地消除了测试线阻值对测试结果的影响,此仪器交直流两用,LCD液晶显示,操作极其简单且具有报警提示功能。原理图如下:

二、主要技术指标

 测量范围:0~2000mΩ   分辨率:1mΩ

   输出电流:30A恒流输出

     测量准度:±(1%+2d

测量半径: 50米  

显示方式: 12864液晶显示

工作温度: -10℃~+50℃

即使总线存在一定范围内的共模干扰,也能正确进行以上识别。测试原理框图如下图,其中框图中的U1是DUT供电电压、U2是共模电压、U3是差分电平。CANDT设备隐性输入电压限值测试原理框图CANDT设备显性输入电压限值测试原理框图注:ISO11898-2标准中,要求增大差分电压值的是电流源,由于电流源本身的输出电容较大,系统响应较慢,不适合来模拟电流源,这里使用电压源串联电阻的方式来等效电流源。CANDT测试流程隐性输入电压限值测试如测试原理框图连接状态,DUT和CANDT需正常通信;断开电压源U3,调节电压源U2,逐步将共模电压调到6.5V或-2V,在此期间DUT应能正常发送报文;调节电压源U3,逐步将差分电平调到隐性电平上限值0.5V,判断DUT是否能够正常发送报文,若能,则表示测试通过。导通电阻测试仪  高压介质损耗测试仪 带通讯

三、操作方法:

1.仪器在使用前先插上电源线打开电源开关。

2.先找出与地网连接良好的引下线作为基准点(可用测量地网接地电阻的方法找出基准点)。

3.使用仪器自配的两根测量线(50米,5米),大小端子(共四个)分别插入仪器的接线柱,(注:粗线端子插电流接线柱,细线端子插电压接线柱,且红黑颜色对应)。

   4.(5米)带有夹子的一端与基准点连接好,线盘(50米)夹子的一端与被测点连接好。

   5.打开测量开关,待数据稳定后即可得到测量结果。征能ES325E数字绝缘电阻表(5V)具有:量程~2GΩ,分辨率.1MΩ,额定电压:25V/5V/1V/25V/5V,直流电压:~1V,交流电压:~75V,数据存储5组。以下是测量电动机的绝缘电阻应用。打开征能ES325E数字绝缘电阻表(5V)仪表箱,配件有:仪表:1台,高压棒:1支红色,高压测试线:2条(黑色,绿色各1条),电池:1.5V碱性电池6节,说明书、保用证:1套,仪表箱:1个。导通电阻测试仪  高压介质损耗测试仪 带通讯

、注意事项

    1.应使用仪器所配备的标准测量线,且必须按照正确的接线方法接线:电流与电压接线必须同极性(颜色对应);粗接线柱接电流线,细接线柱接电压线。

2.在测量前应对基准点及被测点表面的氧化层进行处理。

3.测试时如果表头显示数据不稳定,即有可能是连接点已松脱或是夹子接触,去掉氧化层即可。

4.数据稳定后,不宜长时间按住测量键。

5.仪器存放在通风干燥的环境中,应避免雨淋。兰色段开始变弯曲,斜率逐渐变小。红色段就几乎变成水平了,这就是“饱和”。实际上,饱和是一个渐变的过程,兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。在图中就是假想绿色段继续向上延伸,与Ic=50MA的水平线相交,交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。图中可见该值约为0.25mA。由图可见,根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。导通电阻测试仪  高压介质损耗测试仪 带通讯


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