产品名称：直流电阻测试仪检定装置 泄漏电流测试仪检定装置 HN系列 绝缘电阻表检定装置 长期供应

安规测试仪检定装置有以下几种 直流电阻测试仪检定装置 泄漏电流测试仪检定装置 HN系列 绝缘电阻表检定装置 长期供应

HN8061A

依据JJG1005—2005《电子式绝缘电阻表检定规程》、JJG622—1997《绝缘电阻表（兆欧表）检定规程》,用于检定电子式绝缘电阻表的示值误差、跌落电压、短路电流。
电压分两档：0～500V  0～5000V  -10000V
 短路电流：0～2mA    0～20mA
电阻0-200G-1T-10T本文主要来介绍zigbee工业级方案。TOF测距功能：ZM5168模块具有硬件Time-of-Flight(ToF)引擎，该引擎具有测量两个zigbee节点间2.4GHz信号传输时间的功能。通过测量节点间信号的传输时间，可推算出这两个zigbee节点的距离。在测量出zigbee节点间的距离后可用于开发zigbee节点等应用系统。两个zigbee节点间执行ToF的运行机制为：本地节点发送一个ToF报文给远端节点，远端节点对这个ToF报文自动回复一个应答，如图所示。

HN8062A接地电阻表校验装置

用于检定JJG336-2004《接地电阻表检定规程》所适用的我目前生产的型号的模拟式、数字式接地电阻表以及进口的同类仪表，也可做普通电阻箱使用，具有调节范围宽，使用方便，造型美观等优点。噪声噪声是开关电源自身产生一种高频脉冲串，由发生在开关导通与截止瞬间产生的尖脉冲所造成，噪声的频率比开关频率高的多，噪声电压的大小很大程度上与开关电源的拓扑、变压器的绕制、电路中的寄生参数、测试时外部的电磁环境以及PCB的布线设计有关。基于此，纹波和噪声的区分就很好理解了。下面开始讨论测量。不同示波器测试结果相差的原因如果不同示波器之间的差别很大，一般是如下几个原因：未使用20M带宽限制不同的带宽引入的噪声值不同，噪声值会直接影响Pk-Pk值测量。

HN8063A耐电压测试仪校验装置

1、测量准度： 

电压：1000v  2500v  5000v  10000v  30000v

准度：1级  0.5级  0.2级种种的不确定使得电网的**稳定运行将承受更大的考验。对于间歇式可再生能源的功率波动问题，利用储能平滑波动，参与调峰的相关技术已经有所研究，而电动汽车在当中的大部分时间都是空闲状态，可以看成是分布式储能，消纳过度的可再生能源，并在电网峰荷期向其输送电能，同时还可以优化风电并网的经济性。电能质量电动汽车蓄电池充电属非线性负荷，其接入也会增加相应的包含大量电力电子装置的充电设备，充电过程中会产生谐波，采用PWM整流+DC/DC充电机和相应的控制策略，能把谐波限制在较低水平，但其受到容量、成本等限制，并不能得到广泛的应用。

HN8065A型泄漏电流测试仪检定装置

一、性能特点

1、源、表测量范围：

       电压源（AC，DC）：电压：250V、50V、5V

       电流源（AC，DC）：20mA、2mA

       频率计：10-100Hz测径仪测量的钢轴规格较多，外径尺寸范围较大，且正常状态下钢轴在辊道上行走，钢轴下沿为固置。为了适应不同规格钢轴的测量，测径仪下方测头为固定安装，上方测头安装在直线导轨滑台上。当切换钢轴规格时，上方测头在步进电机的驱动下可以调整与下方测头的间距，以适应不同规格的测量。调整镜筒的间距时，通过控制系统输入命令，驱动步进电机带动滚珠丝杠即可实现位置的调整。调整完成后系统将自动计入调整距离，不需要进行间距的校准即可进行测量。

HN8066A型接地导通电阻测试仪检定装置

2、一次额定电流：25A、2.5A。(大30A、3A)

3、电阻四盘连续带电可调。

4、直接指示一次电流值，可做交直流大电流标准表用。干扰信号有三个来源：前端应变片、空间辐射和不“干净”电源。前端应变片问题，应变片绝缘不充分会将轨道电压引入采集设备，产生干扰，甚至烧毁仪器，因此在完成应变片粘贴后需要测试绝缘电阻，且绝缘电阻应大于20MΩ；不“干净”电源问题，会给系统引入工频干扰，解决的方法，更换质量较好的隔直适配器或者使用直流电源；空间辐射问题是常见的引起干扰的原因，解决该问题的方法，不仅仅是使用电缆线，还需要将电缆线单端接地，即将电缆线与采集仪机壳连接，并接入“标准地”。

HN8068A型回路电阻测试仪，直流电阻测试仪检定装置

2 一次额定电流：

1A、10A、100A、200A、300A、600A

3 电阻盘0、1、2、3……20带电可调。

4 直接指示一次电流值,可做直流大电流标准表用。

直流电阻测试仪检定装置 泄漏电流测试仪检定装置 HN系列 绝缘电阻表检定装置 长期供应LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。