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HNDL系列全自动大电流发生器测试系统直流大电流发生器 全自动温升试验装置 熔断器测试仪 定制定做
是青岛华能远见有限公司自主研制开发的专业应用于母线槽、频率50Hz开关、电流互感器和其它电器设备的电流负载速断试验及温升试验。则有效的保证了测试数据的准确性。整机测试单元包括:高精度毫秒计、真有效值电流表、电流传感器(进口件)、调压器、大功率升流器、微电脑控制器等部分。自动调压输出电流。诸如稳定性、增益压缩、功率效率和失真测量越来越引起工程师们的重视。基于3672系列矢量网络仪的大功率输出(部分频段典型值+17dBm)和丰富的先进校准技术(包括源和接收机功率校准,SOLT,TRL,非插入校准和Ecal等)开发的放大器增益压缩测量选件,所采用的二维扫描技术克服了传统测量方法只能点频测量的缺陷,地提高了测量效率,通过功率校准和误差修正,使测量结果更加准确。仅需一次设置,经过向导校准,连接被测件,就可以得到放大器在所有设置频点的增益压缩参数和线性参数。
特点
1、 采用10英寸真彩大液晶触摸屏操作;测试无需外接任何辅助设备,全自动控制,式操作,简单方便。
2、 带有自动稳流系统,工控机可实现四遥控能
3、 采用当前电力电子技术,抗干扰能力强,输出精度高,纹波系数小于0.2%,准确度高于0.5%;。
4、 自动试验只需设置好目标电流即可,无需人工监控,仅需设定测试电流,省去手动调压,减小劳动强度,提高工作效率。运行时间可自由设定
5、绝缘耐压 1800/AC 1min, 绝缘等级:B级
EMI诊断在实验室使用普通的测试仪器即完成,带有FFT功能的中示波器,普通的频谱仪,近场,手艺好的工程师还可以自己制作性能良好的近场,对于很多较强的EMI辐射,某些回路过大的开关电源,甚至只需要一根裸露的导线即可探测到空间中的扰信号。这种定性主要针对的是硬件设计人员,目的是要快捷简便,成本低廉,重复性好。图2使用频谱仪和近场进行EMI诊断?EMI预兼容测试(PreCompliancEMI预兼容测试在产品原型和试产阶段,一般要在产品级或系统级进行预兼容(PreComplianc测试,预兼容并没有一个明确的参考标准,就是尽量低成本地模拟兼容测试标准,对EMI状况进行较正式的摸底,避免在正式的兼容测试中失败。
二、技术指标
1.输入 交流50Hz , 380V。
2.可三相平衡的输出0—20000A交流大电流。运行时段可自行设定。
3. 输出开口电压:0-20V.
4.电流精度 :各电流均可平滑平稳连续可调,精度高于0.5级.电流电压表显示为真有效数值,精度高、稳定度高。
5.电流波形失真 THD 1% 设计标准远远高于国标<<GB14048.2-14>>.
6.保护设置 过流、过压
7.绝缘阻抗 20兆欧
8.绝缘耐压 1800/AC 1MIN
9.可测被测元件的电流动作时间。并可同步记录锁定动作时间。常开、常闭触点自动判别。测时范围:0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.电子系统的设计日趋复杂,系统设计工程师要面临的挑战也越多。由于备用时间要进一步延长,但是采用全功率作业模式时,系统的耗电量却也就相应大增。这类系统的备用模式及全功率作业模式,一般都会分别从不同的电源系统借以获得些微的电力供给。换言之,即使不同供电系统的电压完全相同,电源管理系统的设计也会有所不同,来满足不同的需求。在负载范围较广的系统内如何发挥更高的效率一直以来,具长时效性的5V电源供应系统,大都采用静态电流(Iq)极低的线性低压降稳压器。
三、操作方法
1、仪器接入380V电压,在将仪器后面电流输出端子与被测品接通构成电流回路接线端子要紧固。面板上的常闭触点要接到被测品的辅助常闭触点上。
2、打开仪器侧面空气开关,等待几秒进入试验选择界面如下图:
电流输出线与常闭触点接入后,注急停按钮不要按下,直接按启动按钮,即可通过点击触控屏升降按钮来调节电流输出大小。(每次试验结束后,都要按下面板归零按钮让调压器自动归零位)。
2) 自动升流就选择进入“自动试验”界面如下图:
自动试验时,每次都要先选择“参数设置”来设置输出电流大小。做长时间运行可自由设定运行时间。如下图:线材测径仪内装有8组测头,每组测头由平行光发射单元和光电子接收单元构成。发射单元内含特种LED光源,接收单元即数据采集处理系统。测得的数据经光纤通信传输到上位计算机。测径仪进厂前的准备根据预先的现场位置,按照《测径仪布置图》和《测径仪基础图》的要求铺设基础,固定轨枕板,轨道可不固定或点焊固定。注意基础面的平整和稳定。经过实地的勘查,确认轨道的间距、轨面到轧线中心高度等指标均符合设计要求,供电、水管道接口均已就绪。
1.在连接仪器测试线前,应先检查各项调压器是否归零。急停按钮是否关闭。
2.输出电流2500A以上时,电流输出线一定要紧固。试验时间≤300s。LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。