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HNDL系列全自动大电流发生器测试系统小电流发生器 JP柜温升试验设备 JP柜温升试验装置 30年经验
是青岛华能远见有限公司自主研制开发的专业应用于母线槽、频率50Hz开关、电流互感器和其它电器设备的电流负载速断试验及温升试验。则有效的保证了测试数据的准确性。整机测试单元包括:高精度毫秒计、真有效值电流表、电流传感器(进口件)、调压器、大功率升流器、微电脑控制器等部分。自动调压输出电流。容错CAN简介先来了解一下容错CAN,容错CAN的物理层是由CAN-CAN-L、GND三根线组成的。下为CAN总线通信信号的示意图:CAN总线通信信号由图中我们可以看出,CAN-CAN-L的电压幅值在显隐性发生变化时幅值变化高达4V,这样不仅可以保证正常状态下CAN总线的稳定工作,还可以保证CAN总线中CAN-CAN-L其中一条发生故障(短路或者断路)时,容错CAN会自动识别总线状态,根据总线状态做出调整(具体见下表1),保证了CAN总线在故障时的通讯正常。
特点
1、 采用10英寸真彩大液晶触摸屏操作;测试无需外接任何辅助设备,全自动控制,式操作,简单方便。
2、 带有自动稳流系统,工控机可实现四遥控能
3、 采用当前电力电子技术,抗干扰能力强,输出精度高,纹波系数小于0.2%,准确度高于0.5%;。
4、 自动试验只需设置好目标电流即可,无需人工监控,仅需设定测试电流,省去手动调压,减小劳动强度,提高工作效率。运行时间可自由设定
5、绝缘耐压 1800/AC 1min, 绝缘等级:B级
瞬态温度响应曲线包含了热流传导路径中每层结构的详细热学信息(热阻和热容参数)。应用实例1.如何利用结构函数识别器件的结构LED的一般散热路径为:芯片-固晶层-支架或基板-焊锡膏-辅助测试基板-导热连接材料如下面结构函数显示,结构函数上越靠近y轴的地方代表着实际热流传导路径上接近芯片有源区的结构,而越远离y轴的地方代表着热流传导路径上离有源区较远的结构。积分结构函数是热容—热阻函数,曲线上平坦的区域代表器件内部热阻大、热容小的结构,陡峭的区域代表器件内部热阻小、热容大的结构。
二、技术指标
1.输入 交流50Hz , 380V。
2.可三相平衡的输出0—20000A交流大电流。运行时段可自行设定。
3. 输出开口电压:0-20V.
4.电流精度 :各电流均可平滑平稳连续可调,精度高于0.5级.电流电压表显示为真有效数值,精度高、稳定度高。
5.电流波形失真 THD 1% 设计标准远远高于国标<<GB14048.2-14>>.
6.保护设置 过流、过压
7.绝缘阻抗 20兆欧
8.绝缘耐压 1800/AC 1MIN
9.可测被测元件的电流动作时间。并可同步记录锁定动作时间。常开、常闭触点自动判别。测时范围:0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.如果套管内部存在缺陷,也可能导致套管异常发热。在这种情况下,发生故障套管的整体温度一般较其他正常的两相高(如下图红外热像仪应用在套管上)。如果套管内部或外部接头存在接触,或接点被氧化腐蚀,也可能导致套管接触点温度异常。在这种情况下,发生故障套管接触点就会表现出触点的温度明显高于其他正常的点或线路或套管。变压器套管热缺陷的红外热像仪应用检测依据根据DL/T664-20089.1电流致热型设备的判断:套管将军帽与外部接线板或内部导电杆接触是电流致热故障,判断依据如下:套管内部存在缺陷的情况比较复杂:有可能是电压致热故障所引起的,也有可能是套管机械损伤造成的。
三、操作方法
1、仪器接入380V电压,在将仪器后面电流输出端子与被测品接通构成电流回路接线端子要紧固。面板上的常闭触点要接到被测品的辅助常闭触点上。
2、打开仪器侧面空气开关,等待几秒进入试验选择界面如下图:
电流输出线与常闭触点接入后,注急停按钮不要按下,直接按启动按钮,即可通过点击触控屏升降按钮来调节电流输出大小。(每次试验结束后,都要按下面板归零按钮让调压器自动归零位)。
2) 自动升流就选择进入“自动试验”界面如下图:
自动试验时,每次都要先选择“参数设置”来设置输出电流大小。做长时间运行可自由设定运行时间。如下图:尤其在使用高速数据网络时,拦截大量信息所需要的时间显著低于拦截低速数据传输所需要的时间。数据双绞线中的绞合线对在低频下可以靠自身的绞合来抵抗外来干扰及线对之间的串音,但在高频情况下(尤其在频率超过250MHz以上时),仅靠线对绞合已无法达到抗干扰的目的,只有才能够抵抗外界干扰。电缆层的作用就像一个法拉第护罩,干扰信号会进入到层里,但却进入不到导体中。数据传输可以无故障运行。由于电缆比非电缆具有较低的辐射散发,因而防止了网络传输被拦截。
1.在连接仪器测试线前,应先检查各项调压器是否归零。急停按钮是否关闭。
2.输出电流2500A以上时,电流输出线一定要紧固。试验时间≤300s。由P区引出的电极为阳极,由N区引出的电极为阴极,如下图所示,温度对二极管的性能有较大的影响,这是由于半导体材料的特性所致,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1oC,正向压降减小约2mV,可以从下图看出,由半导体理论可以得出,PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为:其中,Is为反向饱和电流,对于硅材料来说,Is约为10pA;q为电子的电量,q=1.6*10-9C;k是玻耳茨曼常数,k=1.38*10-23J/K;T为温度,kT/q可以用UT来代替,则常温下,即T=300K时,UT约为26mV。