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HN9001地下管线探测仪
仪器特点
1) 便携轻巧,使用方便,充电电池供电,一人即可操作,四项测试一次完成。
2) 数字化设计,软件控制,性能稳定、可靠。
3)大屏液晶界面,中文显示,一看就懂,易学、易会。
4)所测信息以数字大小、光栅长短、声音缓急三种方式提供给操作者,使测试过程轻松自如。
但实际情况却相差很远,并不是电容越大对高速电路越有利,反而小电容才能被应用于高频。滤波电容用在电源整流电路中,用来滤除交流成分,使输出的直流更平滑。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。旁路电容用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。关于去耦电容蓄能作用的理解去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是位的。
2.2 仪器组成
2.2.1 标准配置:发射机、接收机、充电器、直连线、地钎
2.2.2 选 件:大耦合钳
每cfm逃逸气体相当于大约每年损失1,6美元,因此7.85cfm意味着每年损失超过12,5美元。虽然这些数据表明的回报来自检测和修复泄漏,但是值得注意的是,按体积计算,大量的小型泄漏大致相当于较小数量的大型泄漏,两者各自占气体损失的大约27%,而中型泄漏占45%。检测发现每处设施平均有19处泄漏,每次检测平均发现9次泄漏。每处设施的平均总泄漏率为2.4cfm。显著节省成本经济效益是显而易见的。2.3 仪器参数
2.3.1 发射机
1)输出信号:输出四种频率的正弦交流信号,分别是低频、中频、高频、射频。
2)输出功率:恒功率输出,低、中、高三档(不小于6瓦)。
3)输出模式:直连法、耦合法、感应法。
4)阻抗显示:99999欧以内。
5)负载匹配:1—10000欧。
6)显示界面:大屏液晶中文、图形显示,自带背光。
7)电 源:标准1号1.2V充电电池6节,充放电500次。
8)待机时间:大于8小时,电量提示。
气体仪是用于气体组成成分的仪表,它属于流程仪表中的一种。气体仪是化学参数测量仪表,在很多工业生产过程中,气体仪表的地位与压力仪表、流量仪表等物理参数测量仪表是不相上下的,能起到控制生产环境、减少**事故等重要作用。气体仪在化学反应生产中的应用气体仪多应用于存在化学反应的生产过程,氨气合成流程中,在使用温度仪表和压力仪表控制反应环境以外,还需要使用气体仪表来进气的化学成分,控制和氨气之间的合理比例,这样才能限度的提高氨气合成率,而获得较高的生产效率。
2.3.2 接收机
1)接收频率:接收五种不同频率的正弦交流信号,分别是低频、中频、高频、射频、50HZ.
2)接收模式:波峰法(水平线圈)、 波谷法(竖直线圈)、 外接设备法(耦合钳)。
3)信号界面:数字大小、光栅长短、声音缓急三种界面同时提示信号强弱
4)显示界面:大屏液晶中文、图形显示,自带背光。
5)增益控制:手动调节,动态范围000——100db。
6) 探测长度:直连电缆时,长15KM。.
耦合电缆时,一次耦合可测3Km,多次耦合无限远。
感应电缆时,一次感应可测300m,多次感应无限远。
7)深度测量:直读探测深度,范围 000—250cm。
80%法测深度,范围 000—250cm(感应)\500cm(直连)
8)电流测量:直读电流,范围000—999mA.
9) 探测精度:埋深的5%如果采用传统的单机测试方式,就存在工况转换的衔接过程,难以进行仿真与测试,这样的衔接过程往往是系统容易产生故障的环节。正因如此,就需要一个软硬件结合的电源自动化测试系统来完成对航天电源系统性能的测试。传统的电源测试系统由于通用性低,价格昂贵且难于操作维护,已经不能满足日益发展的航天电源系统的测试需求,需要有一套可以同时具有高灵活度、高度、高性价比、高可操作性等特点于一身的电源测试系统来适应行业的发展,这样的系统是测试航天电源比较理想的选择方案,在航天电源测试评估领域也有广泛的应用前景。
2.4 工作原理
本仪器是以电磁感应原理为基础、以跨步电压理论为依据,结合数字滤波 、无线接收、软件控制而设计的高科技产品。
电磁感应:其基本工作原理是:由发射机产生电、磁波并通过不同的发射连接方式将发送信号传送到地下被探测金属管线上,地下金属管线感应到电磁波后,在地下金属管线表面产生感应电流,感应电流就会沿着金属管线向远处传播,在电流的传播过程中,又会通过该地下金属管线向地面辐射出电磁波,这样当地下管线探测仪接收机在地面探测时,就会在地下金属管线正上方的地面接收到电磁波信号,通过接收到的信号强弱变化就能判别地下金属管线的位置和走向。
此原理实现的条件:,要有能发出足够电能的信号源,在具备传输电能的线路中形成电流,电流在流动过程中又在该线周围产生磁场;其次,要有能接收这一特定磁场的电路,把磁场的变化过程以电信号形式显示出来。晶闸管又叫可控硅,是一种在晶体管基础上发展起来的大功率半导体器件,主要并广泛应用于整流、逆变、调压及开关等方面,对可控硅性能进行检测,对于电控系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成,即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极。