产品名称：电缆故障测试仪 HN300系列 高压电桥故障测试仪（定位仪）现货供应

HN300电缆故障测试仪 电缆故障测试仪 HN300系列 高压电桥故障测试仪（仪）现货供应

 用于35kV及以下不同等级、不同截面、不同介质及材质的电力电缆的各类故障，包括：开路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻闪络性故障。可配合高压设备实现传统电缆故障测试的低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法。 全中文操作软件和使用界面，子菜单方式和文字提示实现人机互动。工业级10.4寸彩色触摸液晶屏显示，全中文操作软件和使用界面，子菜单方式和文字提示实现人机互动。事实上，物联网的设备可以分为三种。无需移动性，大数据量（上行），需较宽频段，比如小区监控；2.移动性强，需执行频繁切换，小数据量，比如车队追踪管理；3.无需移动性，小数据量，对时延不敏感，比如智能抄表。NB-IoT优势特点NB-IoT就是针对种应用场合而设计的，其主要优势十分明显。强链接：在同一的情况下，NB-IoT可以比现有无线技术提供50-100倍的接入数。一个扇区能够支持10万个连接，支持低延时敏感度、超低的设备成本、低设备功耗和优化的网络架构。

技术参数

1. 采样方法：低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法

2. 采样速率：200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz

3. 脉冲宽度：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs

4. 波速设置：交联、聚氯、油浸纸、不滴油和未知类型自设定

5. 冲击高压：35kV及以下

6. 测试距离：＜60km，盲区≤1m

7. 分 辨 率：1m

8. 测试精度：1m

9. 显示方式：工业级10.4寸彩色触摸液晶屏

传统电源需要两台直流源分别提供相反方向的电流配合控制两台电源分别输出的控制回路来满足实验要求。解决方案IT6432双极性可编程电源可以实现正负电压输出，从而实现电流方向周期性改变。用一台it6432即可以完成该实验。操作方法利用list功能编辑3V/.5A1s和-3V/.5A5s两工步，客户该实验需要1~2周时间，设定好循环次数（65535次），既可以提供周期性改变电流方向的电流脉冲信号，轻松的完成该实验目的。

 四、工作原理

       本产品采用的是时域反射（TDR）原理，即对电缆发射一电脉冲，电脉冲将在电缆中匀速传输，当遇到电缆阻抗发生变化的地方（故障点），电脉冲将产生反射。测距主机将电脉冲的发射和反射的变化以时域形式通过液晶屏显示出来，通过屏幕上的波形可直接判读故障距离。

① 开关按键：按下自锁接通电源，再按解锁断开电源。开机2分钟无任何操作时，屏幕将变暗进入屏保节能状态。比如，高输入阻抗比低输入阻抗易受干扰，模拟电路比数字电路易受干扰，无隔离设计的设备比有隔离设计的设备易受干扰。如果我们使用功率仪测试的时候遇到了干扰要这么办？常见的抗干扰技术有以下几种，在使用功率仪测试遇到干扰时，也主要按照一下思路来解决异常。干扰比较大时，可以考虑使用同轴电缆类的性能较好的测试线。滤波选择合适的滤波装置，或者在设备上设置合适的滤波条件。接地接地技术相对比较复杂，但是无论在强电系统还是弱电系统中，接地都是一种比较好的干扰的技术。

② 充电端口：用于连接充电器，给电池充电。

③ 中值旋钮：顺时针旋动中值向上走动；逆时针旋动中值向下走动。（需采样刷新才有变化）大；逆时针旋动幅度减小。（需采样刷新才有变化）

⑤ 采样端口：四芯座，用于连接采样线。如何可靠地校准这些校准器，保证可靠地量值溯源性，是一项技术性很强的工作。目前国内各有些校准实验室在校准这些校准器的工作中，还存在一些问题。有时候，其校准不确定度并不能满足技术要求。本文对这些问题做了，并提出了解决方法。存在的问题校准仪器时，有一个基本的要求，就是要求被校仪器的不确定度远大于校准标准的不确定度。它们之间的比率称为不确定度比率TUR。一般要求TUR至少大于4:1或者3:1。达到要求，可以开展校准或检定；达不到要求，只能进行仪器间的比对测量。

⑥ 触摸式彩色液晶屏：详见“工作界面介绍”。

按“       ”键，弹出采样方式选择子菜单。子菜单中包括：“低压脉冲”、“闪络方法”和“速度测量”。仪器开机默认“低压脉冲”，根据测试需要，可选择相应的采样方式，再按“采样方式”键退出。

按“       ”键，弹出脉冲宽度选择子菜单。子菜单中包括7个选项，分别为：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根据测试距离选择合适的脉宽，按对应的子菜单键可以对脉冲宽度进行选择，仪器开机默认0.2μs，再按“脉宽”键退出此项功能。注意：在高压闪络法测试中此项不做选择。

PID（PotentianInducedDegradation）是一种电势诱导衰减现象，是指组件长期在高电压下使得玻璃，封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池表面。使得电池表面的钝化效果恶化，导致填充因子（FF），短路电流（Isc），开路电压（Voc）降低，使得组件的性能低于设计标准，发电能力也随之下降。2010年，NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池，组件在负偏压下都有PID的风险。